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| 基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析 | |
| 引用本文： | 常正阳.基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析[J].科技咨询导报,2011(26):80-80. |
| 作者姓名： | 常正阳 |
| 作者单位： | 电子科技大学; |
| 摘 要： | 本文通过I-V法测试得到25-200℃范围内GaN/AlGaN HEMT器件直流特性随温度的退化情况,同时通过C-V法测试了器件在25-100℃范围内电容、电导随频率、温度变化的特性。经电导法分析发现器件界面处存在高密度陷阱态进一步分析认为,高密度界面陷阱态是引起器件高温特性退化的原因。 |
| 关 键 词： | GaN/AlGaN HEMT 界面态 电导法 退化 |
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