| 中间模板路线合成碳化硅纳米棒 |
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| 引用本文： | 王新军,吕全建,蒋凯.中间模板路线合成碳化硅纳米棒[J].河南师范大学学报(自然科学版),2006,34(3):95-98. |
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| 作者姓名： | 王新军 吕全建 蒋凯 |
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| 作者单位： | 河南师范大学,化学与环境科学学院,河南,新乡453007;郑州畜牧高等专科学校,郑州,450011 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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河南省高校青年骨干教师资助项目 |
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| 摘 要： | 采用中间模板路线在600~700℃相对低的温度下,用四氯乙烯和四氯化硅作为原材料,用溶剂热的方法合成了立方相的碳化硅(β-SiC)纳米棒.这种可选择性的路线为理解一维纳米材料的生长提供了实验上的依据.用X射线衍射,光电子能谱,拉曼光谱,透射电镜以及选区电子衍射对产物进行了表征.碳化硅纳米棒大约长800~1 750 nm,直径为50~60 nm.
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| 关 键 词： | 碳化物 纳米结构 化学合成 晶体生长 |
| 文章编号： | 1000-2367(2006)03-0095-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-24 |
| 修稿时间： | 2006年2月24日 |
An Intermediate Template Growth of Silicon Carbide Nanorods |
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| WANG Xin-jun,LV Quan-jian,JIANG Kai.An Intermediate Template Growth of Silicon Carbide Nanorods[J].Journal of Henan Normal University(Natural Science),2006,34(3):95-98. |
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| Authors: | WANG Xin-jun LV Quan-jian JIANG Kai |
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| Institution: | 1.College of Chemistriy and Environmental Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China; 2. Zhenzhou College of Animal Husbandry Engineering, Zhengzhou 450011,China |
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| Abstract: | An intermediate template route was developed to grow cubic silicon carbide(β―SiC) nanorods at relatively low temperature of 600~700 ℃ using tetrachloroethylene(C_2Cl_4) and silicon tetrachloride(SiCl_4) as carbon and silicon sources,respectively by a solvothermal method.The alternative method provided further understanding for the growth of the SiC nanorods.The product was characterized by X-ray powder diffraction(XRD),X-ray photoelectron spectra(XPS),Raman backscattering,transmission electron microscopy(TEM) and selected area electron diffraction(SAED).And the SiC nanorods have the diameter of 50～60 nm and the length of up to 800 nm～1.75 μm. |
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| Keywords: | carbides nanostructures chemical synthesis crystal growth |
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