N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究 |
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引用本文: | 赵永红,孔春阳,秦国平,李万俊,阮海波,孟祥丹,卞萍,徐庆,张萍.N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究[J].重庆师范大学学报(自然科学版),2013,30(3). |
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作者姓名: | 赵永红 孔春阳 秦国平 李万俊 阮海波 孟祥丹 卞萍 徐庆 张萍 |
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作者单位: | 1. 重庆师范大学物理与电子工程学院,光学工程重点实验室,重庆401331;重庆市光电功能材料重点实验室,重庆401331 2. 重庆师范大学物理与电子工程学院,光学工程重点实验室,重庆401331;重庆市光电功能材料重点实验室,重庆401331;重庆大学物理学院,重庆401331 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,重庆市自然科学基金,重庆师范大学青年基金 |
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摘 要: | 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变.研究发现:在590 C退火20 min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01×1018) cm-3、3.40 cm2·V-1·s-1、1.81Ω· cm.结合XPS分析认为ZnO∶In-N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主Inzn-2No复合体.Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为n型导电,结合XPS和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N2)o施主缺陷是p型不稳定的原因.
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关 键 词: | ZnO:In-N薄膜 离子注入 p型掺杂 稳定性 第一性原理 |
The Investigation on the Microstructure and Electrical Properties of p-type ZnO:In-N Films |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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