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宽禁带半导体 中国科学家谈科学
引用本文:陈弘.宽禁带半导体 中国科学家谈科学[J].科学观察,2007(3).
作者姓名:陈弘
作者单位:中国科学院物理研究所
基金项目:重大基础研究前期研究专项项目(项目编号:2004CCC00400),国家软科学研究计划(项目编号:2003DGQIK240)
摘    要:宽禁带半导体,突破了第一、二代半导体材料的居里温度远低于室温的困境,在高温、大功率应用中有很大的潜力。在同一材料体系实现非易失性自旋存储和电、光信号处理器件的集成,将成为宽禁带半导体微电子发展的远期目标。

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