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聚结晶紫薄膜修饰电极的制备条件研究
引用本文:周谷珍,孙元喜,邓欢梅.聚结晶紫薄膜修饰电极的制备条件研究[J].湖南文理学院学报(自然科学版),2003,15(4):25-28.
作者姓名:周谷珍  孙元喜  邓欢梅
作者单位:湖南文理学院化学化工系 湖南常德415000 (周谷珍,孙元喜),湖南文理学院化学化工系 湖南常德415000(邓欢梅)
基金项目:湖南省教育厅资助科研项目 [0 2C12 0 ]
摘    要:详细研究了结晶紫 (CV)在玻碳基体电极表面聚合成膜的条件 ,从而得到利用循环伏安法制备聚结晶紫薄膜修饰电极 (PCVE)的最佳条件 :在 0 .0 5mol/LKH2 PO4-Na2 HPO4(pH =6 .8) + 0 .2mol/LNaNO3 + 2 .0× 10 -4mol/LCV的最佳聚合体系中 ,以 5 0mV/s的扫描速率 ,控制扫描电位范围为- 1.2~ 1.8V ,循环扫描 2 0圈即可制得聚结晶紫薄膜修饰电极 .该修饰电极具有良好的重现性和稳定性 ,并对邻苯二酚、多巴胺等具有良好的电催化作用 ,可用于试样中邻苯二酚和多巴胺的分析测定

关 键 词:聚结晶紫薄膜  修饰电极  制备条件  循环伏安法
文章编号:1672-6146(2003)04-0025-04
修稿时间:2002年10月3日

STUDY ON THE PREPARATION CONDITIONS OF POLY(CRYSTALVIOLET) FILM MODIFIED ELECTRODS
ZHOU Gu-zhen,SUN Yuan-xi,DENG Huan-mei.STUDY ON THE PREPARATION CONDITIONS OF POLY(CRYSTALVIOLET) FILM MODIFIED ELECTRODS[J].Journal of Hunan University of Arts and Science:Natural Science Edition,2003,15(4):25-28.
Authors:ZHOU Gu-zhen  SUN Yuan-xi  DENG Huan-mei
Abstract:
Keywords:Poly(Crystal Violet)  Modified Electrod  Preparation Conditions
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