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| 金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管器件结构的改进 | |
| 作者姓名： | 陈家荣 |
| 作者单位： | 贵州民族学院计算机与信息工程学院,贵州贵阳550001 |
| 摘 要： | 本文采用Schrodinger方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/AlGaN/GaN异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出了缓解电流集边效应的二极管结构的改进。 |
| 关 键 词： | 金属/AlGaN/GaN肖特基异质结器件 二维电子气 电流集边效应 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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