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| 重掺碳砷化镓的光致发光研究 | |
| 引用本文： | 严北平.重掺碳砷化镓的光致发光研究[J].科学通报,1994,39(24):2235-2235. |
| 作者姓名： | 严北平 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071 (严北平)，西安交通大学电子工程系 西安710049 (罗晋生)，电子工业部第13研究所 石家庄050051(章其麟) |
| 基金项目： | 军事电子预研基金资助项目 |
| 摘 要： | 异质结双极晶体管(HBT)利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大,其原因归结为由重掺杂引起的禁带变窄使得n_0p_0乘积 |
| 关 键 词： | 砷化镓 光致发光 双极晶体管 碳 |
| 收稿时间： | 1994-01-26 |
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