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| N掺杂ZnO的研究进展 | |
| 引用本文： | 张凌云,吴钊成.N掺杂ZnO的研究进展[J].科技资讯,2011(25):60-60. |
| 作者姓名： | 张凌云 吴钊成 |
| 作者单位： | 1. 东北电力大学化学工程学院,吉林省吉林市,132012 2. 中国石油吉林石化分公司,吉林省吉林市,132021 |
| 摘 要： | ZnO是一种宽禁带,高激子能的半导体,N掺杂能够减小禁带宽度,极大的改变ZnO的电子和光学性能。本文介绍了目前对ZnO进行N掺杂的方法,并比较了各种方法的优缺点及N掺杂对ZnO性质的影响。 |
| 关 键 词： | 半导体 N掺杂 |
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