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| GaAs／GaAlAs锁相阵列激光器的研制 | |
| 引用本文： | 张喜田,朴友植,等.GaAs／GaAlAs锁相阵列激光器的研制[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,1992,8(4):50-52. |
| 作者姓名： | 张喜田 朴友植 |
| 作者单位： | [1]哈尔滨师范大学 [2]长春物理所八室 |
| 摘 要： | 用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地变化到6um，相邻激光器的间距保持常数为5um,，其间的隔离是通过质子轰击实现的，观察到远场为单瓣，平行于p-n结平面发散角（11）为3．13度，接近于理论计算的衍射极限角为3度，器件的脉冲光输出功率为120mw/facet。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 阵列激光器 锁相 |
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