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| FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析 | |
| 引用本文： | 王广甫,刘玉龙,田人和,张荟星.FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(5):608-611. |
| 作者姓名： | 王广甫 刘玉龙 田人和 张荟星 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学分析测试中心;北京师范大学低能核物理研究所 2. 中国科学院物理研究所 3. 北京师范大学低能核物理研究所: |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-715-008-0040; |
| 摘 要： | 用磁过滤阴极真空弧沉积（FCVAD）方法在Si衬底上合成了Ta-C薄膜，Raman光谱和光电子能谱（XPS）分析表明衬底加80-100V负偏压时合成的Ta-C薄膜sp^3键所占比例最高，可达80%以上，并且在Ta-C薄膜表面存在-sp^3键所占比例较低的薄层。 |
| 关 键 词： | 过滤阴极真空弧沉积 沉积能量 sp^3键所占比例 FCVAD 钽－碳薄膜 |
| 修稿时间： | 2001年4月4日 |
RAMAN AND XPS STUDY ON Ta-C FILMS SYNTHESIZED BY FCVAD |
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| Wang Guangfu , Liu Yulong Tian Renhe Zhang Huixing.RAMAN AND XPS STUDY ON Ta-C FILMS SYNTHESIZED BY FCVAD[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2001,37(5):608-611. | |
| Authors: | Wang Guangfu Liu Yulong Tian Renhe Zhang Huixing |
| Institution: | Wang Guangfu 1,2) Liu Yulong 3) Tian Renhe 2) Zhang Huixing 2) |
| Abstract: | Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method. The results of Raman and XPS show that the sp 3 content of the films synthesized at the substrate bias of 80 to 100 V can reach 80%, and there is a low sp 3 content layer on the surface of these films. |
| Keywords: | Ta-C films filtered cathodic vacuum arc deposition deposition energy sp 3 content |
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