| 反应合成Ag(111)/SnO2(200)复合材料界面结构的DFT研究 |
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| 引用本文： | 冯晶,陈敬超,肖冰,于杰.反应合成Ag(111)/SnO2(200)复合材料界面结构的DFT研究[J].中国科学(E辑),2009,39(3):453-459. |
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| 作者姓名： | 冯晶 陈敬超 肖冰 于杰 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室;云南省新材料制备与加工重点实验室;西安交通大学材料科学与工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:2008CB617609);;云南省自然科学基金重点项目(批准号:2006E003Z);;昆明理工大学创新基金资助 |
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| 摘 要： | 根据 HTEM 原位观察的 Ag/SnO2 电接触材料的两相界面结构, 建立了 Ag(111)/ SnO2(200)界面结构模型. 原子驰豫位移的计算结果显示, 驰豫引起界面原子严重错排, 破坏了点阵周期性排列. 界面区的O与Ag原子为达到稳定结构而彼此有靠近的趋势, 界面的结构驰豫是材料系统降低能量的一种方式. 界面附近态密度表明界面对材料的导电性有很大影响, 界面 O 原子的存在引起了材料导电性下降. 界面区域电子云和布居分析表明, 在Ag/SnO2界面结构中未形成 AgxOy 化合物, 且界面会导致电荷分布不均匀, 在整个材料系统内形成微电场, 影响电子传输和材料的导电性. 计算显示 Ag(111)/SnO2(200)界面结合较强, 界面结合能约为−3.50 J/m2.
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| 关 键 词： | 电接触材料 反应合成 界面能 结构驰豫 电子结构 第一原理计算 |
| 收稿时间： | 2008-03-07 |
| 修稿时间： | 2008-06-16 |
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