Ge（313）表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ＾３ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，首次分析了半导体Ｇｅ的（３１３）高指数表面能带结构。采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（３１３）表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辨的电子态密度和表面投影能带结构。分析结果表明：（３１３）表面在－１２ｅＶ到１ｅＶ的能区内存在６个主要的表面态，在此基础上讨论了各表面态的轨道特性、色散特性和局域特性等。