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| 热氮化二氧化硅膜的研究 | |
| 作者姓名： | 陆明莹 张家慰 简耀光 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 研究生(陆明莹)，南京工学院电子工程系 讲师(张家慰)，南京工学院电子工程系 副教授(简耀光) |
| 摘 要： | 用氨气对热生长的二氧化硅膜进行了氮化处理,测试了膜的电学特性,并研究了工艺对它们的影响。实验发现,热氮化二氧化硅膜兼有二氧化硅与氮化硅膜的优点,而且界面电荷在较大范围内具有可控的特点。用AES表面分析技术研究了热氮化二氧化硅膜的结构。还探讨了二氧化硅膜热氮化的机理。 |
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