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| MEMS用低应力硅片的研制 | |
| 引用本文： | 薛佳伟,赵权,杨洪星.MEMS用低应力硅片的研制[J].天津科技,2008,35(2):73-75. |
| 作者姓名： | 薛佳伟 赵权 杨洪星 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。 |
| 关 键 词： | MEMS 应力 硅片 |
| 修稿时间： | 2008年4月3日 |
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