畴壁共振和磁畴FMR之间的耦合效应

观察在磁膜中的磁畴磁共振(DR)和畴壁共振(DWR)是研究磁畴动态特性的主要方法之一,尤其是对磁泡材料的研究更是如此,因为一些与磁泡记忆元件特性有关的重要参数,如畴壁的结构和阻尼,可从这样的一些测量中得到。在以往的实验中,DWR和DR这两种共振是分别研究的,直到最近人们才开始注意到它们之间的相互干扰和耦合,但是在这方面的详细实验研究报道并不多。 本文用制备磁泡记忆元件的柘榴石型单晶薄膜研究了当高频激励磁场居与条畴分别平行和垂直时,DWR和DR两种模式间的相互作用。