| GDa-Si:H薄膜的—新发光峰 |
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| 引用本文： | 马洪磊,曹宝成,余亦舜,罗文秀.GDa-Si:H薄膜的—新发光峰[J].山东大学学报(理学版),1986(1). |
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| 作者姓名： | 马洪磊 曹宝成 余亦舜 罗文秀 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系
(马洪磊，曹宝成，余亦舜)，山东大学化学系(罗文秀) |
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| 摘 要： | GDα-Si:H薄膜作为廉价大面积太阳电池的基本材料日益显示出广阔的前景,人们已进行了大量的研究工作。然而对α-Si:H基本性质的许多问题至今尚未解决。由于光致发光谱可以探测α-Si:H的带尾和其他局域态的性质,故对GDα-Si:H薄膜光致发光的研究是当前基础研究的一个重要课题。迄今为止,人们已经发现α-Si:H薄膜有五个发光峰:(1)主发光峰。尽管对
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A NEW PHOTOLUMINESCENCE PEAK IN GD_a -Si: HFILMS |
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| Ma Honglei,Cao Baocheng,Yu Yishun,Luo Wenxiu.A NEW PHOTOLUMINESCENCE PEAK IN GD_a -Si: HFILMS[J].Journal of Shandong University,1986(1). |
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| Authors: | Ma Honglei Cao Baocheng Yu Yishun Luo Wenxiu |
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| Institution: | Ma Honglei;Cao Baocheng;Yu Yishun;Luo Wenxiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence spectrum light-induced recombination centers fatigue effect in the luminescence |
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