| 芯片氧化层静电放电击穿模型研究 |
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| 引用本文： | 孙可平,李学文.芯片氧化层静电放电击穿模型研究[J].北京理工大学学报,2005,25(Z1):24-27. |
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| 作者姓名： | 孙可平 李学文 |
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| 作者单位： | 上海海事大学,电磁兼容与静电研究室,上海,200135 |
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| 摘 要： | 提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.01μm、面积为9.09×10-6 cm2氧化层,其击穿电压约为208 V;若面积不变,厚度缩小为原来的1/10,则其击穿电压降为160 V;若面积也等比例缩小,则击穿电压降为20 V,其结果是耐ESD的能力大幅度降低.
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| 关 键 词： | 介质击穿 ESD技术 氧化层 芯片氧化层 静电放电 击穿模型 研究 Silicon Dioxide Films Breakdown Model 能力 结果 等比例缩小 压降 面积 介质厚度 尺寸效应 敏感度 击穿电压 关系 击穿场强 使用 物理模型 电介质击穿 |
| 文章编号： | 1001-0645(2005)增刊-024-04 |
| 修稿时间： | 2005年5月26日 |
Research on ESD Breakdown Model in IC Silicon Dioxide Films |
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| SUN Ke-ping,LI Xue-wen.Research on ESD Breakdown Model in IC Silicon Dioxide Films[J].Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition),2005,25(Z1):24-27. |
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| Authors: | SUN Ke-ping LI Xue-wen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dielectric breakdown ESD technology dioxide films |
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