| 纳米ZnO阵列场发射性能研究 |
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| 引用本文： | 唐海平,叶志镇,PARK Ji-yong.纳米ZnO阵列场发射性能研究[J].宝鸡文理学院学报(自然科学版),2009,29(4):19-23. |
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| 作者姓名： | 唐海平 叶志镇 PARK Ji-yong |
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| 作者单位： | 宝鸡文理学院,机电工程系,陕西,宝鸡,721007;亚洲大学,能源研究室,韩国水原市;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;亚洲大学,能源研究室,韩国水原市 |
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| 基金项目： | 国家科技部"973"项目:半导体光电功能材料的基础研究，宝鸡文理学院院级重点项目:ZnO纳米材料的生长研究 |
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| 摘 要： | 目的 为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标.方法 采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析.结果 和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强.其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm.
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| 关 键 词： | ZnO 场发射 开启场强 阈值场强 |
Investigation on the field emission property of ZnO nanoarrays |
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| TANG Hai-ping,YE Zhi-zhen,PARK Ji-yong.Investigation on the field emission property of ZnO nanoarrays[J].Journal of Baoji College of Arts and Science(Natural Science Edition),2009,29(4):19-23. |
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| Authors: | TANG Hai-ping YE Zhi-zhen PARK Ji-yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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