| Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级 |
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| 引用本文： | 康俊勇,黄启圣,詹华瀚,余辛.Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级[J].厦门大学学报(自然科学版),1996(3). |
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| 作者姓名： | 康俊勇 黄启圣 詹华瀚 余辛 |
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| 摘 要： | 用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．
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| 关 键 词： | 深能级，HgCdTe半导体，红外探测器 |
Deep Levels in Hg1-xCdxTe IR Photodetector |
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| Kang Junyong, Huang Qisheng, Zhan Huahan,Yu Xin.Deep Levels in Hg1-xCdxTe IR Photodetector[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1996(3). |
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| Authors: | Kang Junyong Huang Qisheng Zhan Huahan Yu Xin |
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| Institution: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Deep level HgCdTe alloy IR photodetector |
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