| LPE法生长GaP/Si材料初探 |
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| 引用本文： | 邓希敏,王兢,刘明登.LPE法生长GaP/Si材料初探[J].吉林大学学报(理学版),1993(1). |
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| 作者姓名： | 邓希敏 王兢 刘明登 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 长春 130023，长春 130023，长春 130023 |
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| 摘 要： | 用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10μm的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较.结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象;Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In熔体,而且GaP符合化学计量比.测得GaP外延层带隙波长为540
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| 关 键 词： | 液相外延 GaP/Si 异质结外延 |
The Growth of GaP on Si by LPE |
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| Deng Ximin,Wang Jing,Liu Mingdeng.The Growth of GaP on Si by LPE[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(1). |
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| Authors: | Deng Ximin Wang Jing Liu Mingdeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Liquid Phase Epitaxy GaP/Si heterostructure epitaxy |
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