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| 注入判据 | |
| 引用本文： | 刘克源.注入判据[J].西北大学学报,1980(1). |
| 作者姓名： | 刘克源 |
| 作者单位： | 西北大学物理系 |
| 摘 要： | 一、建立注入判据的必要性PN结理论是半导体结型器件的理论基础,PN结的正向电流—电压特性是这个理论基础的重要组成部分,这个理论以在小注入和大注入两种特殊情况下正向PN结空间电荷区边界处非平衡少子浓度和结电压之间的关系为基础,导出了正向PN结电流——电压之间的两种关系式,这是人们所熟知的。以均匀掺杂的N~ P结为例,即小注入(小注入条件是△n(xp )∠∠Ppo)时 |
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