| 多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究 |
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| 引用本文： | 王晓平,施一生.多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究[J].中国科学技术大学学报,1994,24(3):345-350. |
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| 作者姓名： | 王晓平 施一生 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学，江苏盐城师专 |
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| 摘 要： | 采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．
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| 关 键 词： | 硅化物，多层溅射，XRD |
Study on Preparation of Sputtered WSi_x/Si Multilayer Films |
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| Wang Xiaoping, Zhao Texiu,Shi Yisheng,Ji Hang,Liang Qi.Study on Preparation of Sputtered WSi_x/Si Multilayer Films[J].Journal of University of Science and Technology of China,1994,24(3):345-350. |
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| Authors: | Wang Xiaoping Zhao Texiu Shi Yisheng Ji Hang Liang Qi |
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| Institution: | Wang Xiaoping; Zhao Texiu;Shi Yisheng;Ji Hang;Liang Qi(University of Science and Technology of China)(Yancheng Normal College) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicide multilayer sputtering XRD PACS(1992) 73 50 -h |
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