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射频溅射制备α-Ge/SiO2多层膜
引用本文:崔敬忠,彭军,张兴旺,陈光华,张仿清.射频溅射制备α-Ge/SiO2多层膜[J].兰州大学学报(自然科学版),1996(2).
作者姓名:崔敬忠  彭军  张兴旺  陈光华  张仿清
作者单位:兰州大学物理系
摘    要:射频溅射制备α-Ge/SiO2多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清(兰州大学物理系,兰州730000)由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性,α-Ge和α-SiO2得到了深入的研究[1,2].近年来,用共溅射的方法制备的Ge/SiO2纳米材料由...

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