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Pb掺杂的一维铁磁半导体CrSbSe3的电磁性能研究
引用本文:彭义,公祥南,王爱峰,柴一晟,周小元,顾豪爽. Pb掺杂的一维铁磁半导体CrSbSe3的电磁性能研究[J]. 湖北大学学报(自然科学版), 2020, 42(6): 681-686. DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2020.06.015
作者姓名:彭义  公祥南  王爱峰  柴一晟  周小元  顾豪爽
作者单位:湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉430062,重庆大学分析测试中心,重庆401331,重庆大学物理学院,重庆401331,重庆大学物理学院,重庆401331,重庆大学物理学院,重庆401331;重庆大学分析测试中心,重庆401331,湖北大学物理与电子科学学院,湖北武汉430062
摘    要:

关 键 词:单晶  CrSbSe3  电阻率  饱和磁矩

Investigation on the electromagnetic properties of lead-doped one-dimensional ferromagnetic semiconductors CrSbSe3
PENG Yi,GONG Xiangnan,WANG Aifeng,CHAI Yishen,ZHOU Xiaoyuan,GU Haoshuang. Investigation on the electromagnetic properties of lead-doped one-dimensional ferromagnetic semiconductors CrSbSe3[J]. Journal of Hubei University(Natural Science Edition), 2020, 42(6): 681-686. DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2020.06.015
Authors:PENG Yi  GONG Xiangnan  WANG Aifeng  CHAI Yishen  ZHOU Xiaoyuan  GU Haoshuang
Abstract:
Keywords:
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