| 闪锌矿型GaX(X＝P,As,Sb)电子结构和光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 刘其军,刘正堂,冯丽萍.闪锌矿型GaX(X＝P,As,Sb)电子结构和光学性质的第一性原理计算[J].苏州科技学院学报(自然科学版),2010,27(3):35-39. |
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| 作者姓名： | 刘其军 刘正堂 冯丽萍 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院,陕西西安,710072 |
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| 基金项目： | 航空科学基金资助项目，教育部博士点基金资助项目，西北工业大学基础研究基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的电子结构和光学性质。计算结果表明：GaP属于间接带隙半导体，GaAs和GaSb属于直接带隙半导体，禁带宽度分别为1．629eV、0．612eV和O．079eV。经带隙校正后，计算得到闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的复介电函数、复折射率、反射光谱和吸收光谱。随着X原子序数的增加，出现了明显的带边红移现象，为闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的应用提供了理论依据。
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| 关 键 词： | 闪锌矿型GaX（X=P As Sb） 电子结构 光学性质 第一性原理 |
First principle calculation of electronic structure and optical properties of zinc blende GaX(X=P,As,Sb) |
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| LIU Qijun,LIU Zhengtang,FENG Liping.First principle calculation of electronic structure and optical properties of zinc blende GaX(X=P,As,Sb)[J].Journal of University of Science and Technology of Suzhou,2010,27(3):35-39. |
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| Authors: | LIU Qijun LIU Zhengtang FENG Liping |
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