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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
IGBT的最佳开关时间
作者姓名:
梁锐
贺伟衡
邓天军
作者单位:
广东美的暖通设备有限公司;
摘 要:
IGBT的门是绝缘结构,和MOSFET一样通过门电压可以控制ON、OFF。开关太快的话,逆恢复电流增大,损失增加;太慢的话,开关上需要时间,损失增加,因此,研讨最佳开关时间,让开关速度(dIc/dt)和电流、开关时间的关系明确化。结果是开关速度定为和负荷电流与逆恢复时间Trr1的比相同的话,很明确得出On时的最小开关损失。
关 键 词:
IGBT
MOSFET
dVce/dt
dIc/dt
Trr
开关损失
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