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| IGBT的最佳开关时间 | |
| 引用本文： | 梁锐,贺伟衡,邓天军.IGBT的最佳开关时间[J].河南科技,2014(6). |
| 作者姓名： | 梁锐 贺伟衡 邓天军 |
| 作者单位： | 广东美的暖通设备有限公司; |
| 摘 要： | IGBT的门是绝缘结构,和MOSFET一样通过门电压可以控制ON、OFF。开关太快的话,逆恢复电流增大,损失增加;太慢的话,开关上需要时间,损失增加,因此,研讨最佳开关时间,让开关速度(dIc/dt)和电流、开关时间的关系明确化。结果是开关速度定为和负荷电流与逆恢复时间Trr1的比相同的话,很明确得出On时的最小开关损失。 |
| 关 键 词： | IGBT MOSFET dVce/dt dIc/dt Trr 开关损失 |
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