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嵌入式存储器在SoC中的可测性设计
引用本文:朱志辉,游敏惠.嵌入式存储器在SoC中的可测性设计[J].重庆邮电学院学报(自然科学版),2006(Z1).
作者姓名:朱志辉  游敏惠
作者单位:重庆邮电大学移动通信工程研究中心,重庆邮电大学移动通信工程研究中心 重庆 400065,重庆 400065
基金项目:中国高技术研究发展计划“863”计划(2004AA123150)
摘    要:随着半导体工艺的发展,SOC芯片的规模越来越大,工艺尺寸却越来越小,并且内嵌的存储器在芯片中所占的比例也越来越大,传统的存储器可测性技术受到严峻的挑战.针对存储器的可测性技术及其在SOC中的实现进行了介绍和讨论。

关 键 词:存储器内建自测试  可测性设计  SOC  ASIC

DFT of embeded memory in SoC
ZHU Zhi-hui,YOU Min-hui.DFT of embeded memory in SoC[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Sciences Edition),2006(Z1).
Authors:ZHU Zhi-hui  YOU Min-hui
Abstract:The scale of the SOC chips become smoller while the width narrower With the development of the semiconductor technich. Property of embeded memory in the chips is getting larger and larger. Tranditional DFT of memory meets serious challenge. In this paper we will dicuss the memory DFT technology and the implement in the SOC.
Keywords:MBIST  DFT  SOC  ASIC
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