用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型，指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法，实验结 果证实了这种办法的有效性。