| IGBT器件的一种失效模式及其克服方法 |
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| 引用本文： | 丘睦钦,徐彦忠,曹广军,李乃平.IGBT器件的一种失效模式及其克服方法[J].华中科技大学学报(自然科学版),1996(11). |
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| 作者姓名： | 丘睦钦 徐彦忠 曹广军 李乃平 |
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| 作者单位： | Qiu Muqing Dept. of Solid State Electronics，HUST，Wuhan 430074，China. Xu Yanzhong Cao Guangjun Li Naiping |
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| 摘 要： | 由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的原因，理论分析的结果与实验测试值相吻合．通过改进ＩＧＢＴ器件的驱动电路提出了消除电流尖峰的方法
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| 关 键 词： | IGBT 驱动电路 电流尖峰 |
The Turn On Current Surge of IGBT Devices and Its Impact on Safe Operation |
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| Qiu Muqing Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan ,China. Xu Yanzhong Cao Guangjun Li Naiping.The Turn On Current Surge of IGBT Devices and Its Impact on Safe Operation[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1996(11). |
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| Authors: | Qiu Muqing Dept of Solid State Electronics HUST Wuhan China Xu Yanzhong Cao Guangjun Li Naiping |
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| Institution: | Qiu Muqing Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan 430074,China. Xu Yanzhong Cao Guangjun Li Naiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IGBT driving circuit current peak |
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