| 用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分 |
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| 引用本文： | 连世阳,杨锦赐,廖远琰.用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分[J].厦门大学学报(自然科学版),1989(5). |
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| 作者姓名： | 连世阳 杨锦赐 廖远琰 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(连世阳，杨锦赐)，厦门大学化学系(廖远琰) |
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| 摘 要： | 阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。
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| 关 键 词： | 喇曼光谱 半导体带隙 合金组分 |
Studies and Determinations on Energy Gaps and Alloy Compositions of Semiconductors by Raman Spectroscopy |
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| Lian Shiyang Yang Jinci Liao Yuanyan.Studies and Determinations on Energy Gaps and Alloy Compositions of Semiconductors by Raman Spectroscopy[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1989(5). |
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| Authors: | Lian Shiyang Yang Jinci Liao Yuanyan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman spectroscopy Energy gap of semiconductor Alloy composition |
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