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| 发光多孔硅研究进展 | |
| 引用本文： | 秦国刚.发光多孔硅研究进展[J].科技导报(北京),1994(2):12-13. |
| 作者姓名： | 秦国刚 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 发光多孔硅研究进展ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｉｎＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ￥／／秦国刚（北京大学物理系，教授北京１００８７１）硅是最重要的半导体材料，它在微电子领域有十分重要而广泛的应用。室温下硅的禁带宽度为１．... |
| 关 键 词： | 硅 多孔硅 发光机制 |
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