在砷化镓衬底上异质外延磷化镓的表面缺陷与绿色发光管(摘要)

由于多色发光显示器件的需要,近年来半导体磷化镓绿色发光器件发展迅速,国外普遍采用高压单晶炉拉制体材料,然后在磷化镓体材料衬底上同质外延磷化镓薄膜,再在薄膜上制造绿色发光管的方法。国内由于高压单晶炉尚未成熟,近年来均沿用日本索尼公司一种所谓低压合成溶质扩散法(SSD)、但是,应用该法生长磷化镓速率十分慢,每小时生长0.01～0.1毫米,所得还是多晶体。由此所制成的磷化镓绿色发