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杂志ISSN号
B^+注入Si的辐射损伤和退火特性
作者姓名:
马德录 李淑侠
作者单位:
辽宁大学物理系
摘 要:
本文用x射线衍射仪测定了B^+注入Si的摇摆曲线,用阻尼最小二乘法模拟实验曲线,借助于“多层模型”和x射线衍射的运动学理论,计算了B^+注入Si后辐射损伤随注入深度,注入剂量的变化,并用不同的温度进行等时热退火,给出了辐射损伤恢复的退火特性。
关 键 词:
离子注入 辐射损伤 退火特性 硅 硼离子
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