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| ZnO纳米线阵列/PVK光电二极管制备与特性 | |
| 作者单位： | ;1.陕西理工学院物理与电信工程学院 |
| 摘 要： | 采用水热方法在氧化铟锡(ITO)涂覆的玻璃基底上生长出良好取向排列的氧化锌(ZnO)纳米线阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)分别测试ZnO纳米线阵列的形貌和晶相结构。测试结果表明:在基底上形成致密、良好取向排列的ZnO纳米线阵列,纳米线的直径为40~50 nm,长度在200~300 nm,具有六方纤锌矿结构。进一步与p型聚乙烯咔唑(PVK)混合,形成p-n异质结器件,研究该器件在暗态和光照下的电流密度-电压(J-V)特性。结果显示:该器件为光电二极管,在暗态和光照下的整流率分别为216和110。 |
| 关 键 词： | ZnO纳米线阵列 水热法 光电二极管 整流率 |
Fabrication and characteristics of the ZnO nanowire array/PVK photodiode |
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| Keywords: | |