| 单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连 |
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| 引用本文： | 胡滨,阮爱武,李平,翟亚红,蔡道林. 单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连[J]. 上海交通大学学报, 2007, 0(Z2) |
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| 作者姓名： | 胡滨 阮爱武 李平 翟亚红 蔡道林 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 |
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| 摘 要： | ![]()
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.
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| 关 键 词： | 耐熔金属硅化物 互连工艺 铁电 集成电路 微传感器 |
Multilevel Silicide Interconnect in Monolithic Microsensors |
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| HU Bin,RUAN Ai-wu,LI Ping,ZHAI Ya-hong,CAI Dao-lin. Multilevel Silicide Interconnect in Monolithic Microsensors[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 2007, 0(Z2) |
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| Authors: | HU Bin RUAN Ai-wu LI Ping ZHAI Ya-hong CAI Dao-lin |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | multilevel silicide interconnect process ferroelectric IC micro-sensor |
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