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| 电化学沉积Cu－In—Se薄膜 | |
| 作者姓名： | 敖建平 孙国忠 夏晓丽 |
| 作者单位： | 南昌航空工业学院材料系，江西南昌330034 |
| 摘 要： | 采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu—In—Se薄膜，对电沉积的工艺参数进行了测试，发现Cu—In—Se是一种诱导共沉积，虽然沉积膜不具备化学计量比，但具有一定的光电性能。 |
| 关 键 词： | 电沉积 CuInSe2 诱导共沉积 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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