电化学沉积Cu-In—Se薄膜 |
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引用本文: | 敖建平,孙国忠,夏晓丽.电化学沉积Cu-In—Se薄膜[J].中山大学学报(自然科学版),2003,42(19):45-46. |
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作者姓名: | 敖建平 孙国忠 夏晓丽 |
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作者单位: | 南昌航空工业学院材料系,江西南昌330034 |
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摘 要: | 采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu—In—Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu—In—Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能。
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关 键 词: | 电沉积 CuInSe2 诱导共沉积 |
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