| 忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用 |
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| 引用本文： | 段书凯,胡小方,王丽丹,李传东,MAZUMDER Pinaki.忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用[J].中国科学:信息科学,2012(6):754-769. |
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| 作者姓名： | 段书凯 胡小方 王丽丹 李传东 MAZUMDER Pinaki |
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| 作者单位： | 西南大学电子信息工程学院;Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan;重庆大学计算机学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60972155,61101233,60974020);重庆市自然科学基金(批准号:CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(批准号:XDJK2012A007,XDJK2010C023);重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(渝教人(2011)65号);重庆市高等学校优秀人才支持计划(渝教人(2011)65号);西南大学博士科研资助项目(批准号:SWUB2008074);西南大学教育教学改革研究项目(批准号:2009JY053,2010JY070)资助;中国博士后科学基金(批准号:CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(批准号:09-2-011) |
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| 摘 要： | 忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM)——可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案,其结构与静态随机存取存储器(SRAM)类似,但用忆阻器替代基本RS触发器存储信息.在此基础上,通过改进该MRRAM,可以实现在一个存储单元中存储多比特信息(以灰度级形式)的多值存储器,大大提高了存储密度.给出的计算机仿真和数值分析验证了本方案在存储ASCII字符和图像中的有效性,探讨了灰度图像存储的新方法.
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| 关 键 词： | 忆阻器 阻变随机存取存储器(RRAM) 电路设计 二值存储 多值存储 计算机仿真 |
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