|
|||||
|
|
| 半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析 | |
| 引用本文： | 郑振华.半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析[J].科学通报,1993,38(20):1846-1846. |
| 作者姓名： | 郑振华 |
| 作者单位： | 宁波大学物理系 宁波315211 |
| 摘 要： | 电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量结果,并探讨了减弱电压效应的方法.半导体陶瓷的电学性能主要是由晶界附近因电子结构不同而形成的晶界高阻层决定的,而晶界高阻层就是晶界附近的势垒层,因此晶界高阻层的电阻率可表为 |
| 关 键 词： | 电阻率 电压效应 陶瓷半导体 |
| 收稿时间： | 1993-02-05 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 | |