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| 砷化镓气相外延中不同形式的镓源对载流子浓度的影响 | |
| 作者单位： | 复旦大学物理系砷化镓组 |
| 摘 要： | 采用H_2/AsCl_3/Te/Ga体系,分别以被砷饱和的镓、高温合成的砷化镓锭以及低温合成的砷化镓块为源进行了掺杂外延试验,测定了用这三种源时气相中的As/Ga比;采用H_2/AsCl_3/Ga体系,用被砷饱和的镓和用低温合成的砷化镓块为源进行了不摻杂外延试验,指出以砷化镓为源具有不“吃”碲、“放”碲和气相中As/Ga比较为稳定的优点,从而可提高外延片载流子浓度的稳定性;而且As/Ga比较高,这有利于提高外延片的电子迁栘率?臀潞铣傻纳榛乜赏哂薪细叩拇慷?故用之作源较为适当。 |
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