| 锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续） |
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| 引用本文： | 张亿良.锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）[J].上饶师范学院学报,1994(6). |
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| 作者姓名： | 张亿良 |
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| 作者单位： | 上饶师专化学系 |
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| 摘 要： | 本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。
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| 关 键 词： | 阳极形成膜 平带电住 施主密度 M一S方程 Hauffe规则 |
THE STUDY OF SEMICONDUCTING PROPERTIES OF THE ANODIC OXIDE FLLM FORMED ON ANTIMONY IN BORAX SOLUTION |
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| Zhang Yiling.THE STUDY OF SEMICONDUCTING PROPERTIES OF THE ANODIC OXIDE FLLM FORMED ON ANTIMONY IN BORAX SOLUTION[J].Journal of Shangrao Normal College,1994(6). |
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| Authors: | Zhang Yiling |
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