| 半绝缘砷化镓的热反型研究 |
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| 引用本文： | 张丽珠 张伯蕊. 半绝缘砷化镓的热反型研究[J]. 北京大学学报(自然科学版), 1989, 25(1): 102-109 |
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| 作者姓名： | 张丽珠 张伯蕊 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学系(张丽珠，张伯蕊)，冶金部有色金属研究总院(尹庆民) |
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| 摘 要： | 高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。
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| 关 键 词： | 砷化镓 材料 热反型 |
Study of Thermal Conversion in Semiinsulating GaAs |
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| Zhang Lizhu Zhang Borui. Study of Thermal Conversion in Semiinsulating GaAs[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 1989, 25(1): 102-109 |
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| Authors: | Zhang Lizhu Zhang Borui |
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| Keywords: | Thermal conversion Semiinsulating CaAs |
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