五硼酸钾晶体生长的研究

本文报导了五硼酸钾晶体自水溶液中的生长条件。我们是采用缓慢降温法生长,起始生长温度在50—60℃之间;溶液PH值在7～8的范围内;生长速度一般在0.3mm/昼夜以下;选择完美的晶体做籽晶;现已培养出40×48×30(mm)的近完美的大晶体。利用双(?)测角仪对五硼酸钾晶体进行了测量,标定了晶体的晶面符号,确定了该晶体是由四种类型的单形所代表的19个晶面组成的。使用ZJG—04大型金相显微镜观察了该晶体的位错缺陷。通过显微结晶和对大晶体生长过程的观察,分析研究了双晶形态,确定了该晶体系属接触反映双晶(简单接触双晶、反复三连晶、复合双晶)。本文还研究了双晶的形成规律;讨论了双晶对晶体生长的影响,双晶的成因和抑制双晶的措施。