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| 化合物半导体超晶格 | |
| 引用本文： | 王迅,张翔九.化合物半导体超晶格[J].自然杂志,1980(6). |
| 作者姓名： | 王迅 张翔九 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 (王迅)，复旦大学物理系(张翔九) |
| 摘 要： | 1973年美国的江畸与张立纲等采用分子束外延的技术研制成功了一种新型结构的化合物半导体.它不是一种均匀的单一合金成份的晶体,而是由二种极薄的不同合金成份的半导体单晶薄膜周期性地交替迭合在一起而成的多层异质结构.每层薄膜的厚度一般在数十埃至一百埃.人们称做超晶格.最初研制成的样品是由GaAs与Al_(0.5)Ga_(0.5)As交替迭合而成的,如图1所示,共包含几十个周期至一百个周期. |
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