宽禁带半导体——基本性质和现代光子和电子器件 |
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引用本文: | 孔梅影.宽禁带半导体——基本性质和现代光子和电子器件[J].国外科技新书评介,2007(10):16-16. |
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作者姓名: | 孔梅影 |
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摘 要: | 该书汇编了来自日本学术与工业界的宽禁带半导体领域的奠基人及开创者对氮化物半导体材料生长与应用等方面极其深入的阐述,同时该书也包含SiC,金刚石薄膜、ZnO的掺杂、Ⅱ-Ⅳ族半导体及BeZnSeTe/BAIGaAs材料体系的性质与应用等内容。
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关 键 词: | 宽禁带半导体 电子器件 性质 光子 氮化物半导体 金刚石薄膜 材料生长 材料体系 |
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