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非晶硅a—Si:H膜中氢会量的深度分布研究
引用本文:彭秀峰,周心明.非晶硅a—Si:H膜中氢会量的深度分布研究[J].四川大学学报(自然科学版),1991,28(3):325-330.
作者姓名:彭秀峰  周心明
摘    要:

关 键 词:氢化  非晶硅  薄膜    深度分布
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