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| 掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进 | |
| 作者姓名： | 王艳 刘琦 吕杭炳 龙世兵 王慰 李颖弢 张森 连文泰 杨建红 刘明 |
| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院;中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2010CB934200,2008CB925002);国家自然科学基金(60825403,50972160);国家高技术研究发展计划(2008AA031403,2009AA03Z306)资助 |
| 摘 要： | 本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善.实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法. |
| 关 键 词： | 非易失性存储器 阻变存储器(RRAM) 掺杂技术 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |