二元化合物半导体的禁带宽度 |
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引用本文: | 赵深,赵源.二元化合物半导体的禁带宽度[J].北京大学学报(自然科学版),1982(3). |
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作者姓名: | 赵深 赵源 |
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作者单位: | 北京大学技术物理系
(赵深),北京大学技术物理系(赵源) |
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摘 要: | 本文用LCBO MO法证明具有下述结构特征的二元化合物其禁带宽度Eg仅是键性质的函数,与结构的类型无关。这个结构特征是:两种组分原子交替配位,形成周期性和连通性的共价键网络。本文的结论从理论上支持了许多文献用键性质归纳二元化合物半导体Eg数值规律的工作。
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