| As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究 |
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| 引用本文： | 周文政,代娴,林铁,徐庆庆,褚君浩.As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究[J].广西大学学报(自然科学版),2010,35(5). |
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| 作者姓名： | 周文政 代娴 林铁 徐庆庆 褚君浩 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广西大学科学基金 |
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| 摘 要： | 用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。
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| 关 键 词： | Hg1-xCdxTe 磁输运 载流子浓度 载流子迁移率 |
Study of electricproperties for As-doped Hg1-xCdxTe multi-carrier system |
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| ZHOU Wen-zheng,DAI Xian,LIN Tie,XU Qing-qing,CHU Jun-hao.Study of electricproperties for As-doped Hg1-xCdxTe multi-carrier system[J].Journal of Guangxi University(Natural Science Edition),2010,35(5). |
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| Authors: | ZHOU Wen-zheng DAI Xian LIN Tie XU Qing-qing CHU Jun-hao |
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